Тип второй подзоны размерного квантования дырок у поверхности Si(110): анизотропия спинового расщепления

Выполнены измерения магнетосопротивления для случаев заполнения одной и двух размерно-квантованных подзон дырок в кремниевых полевых транзисторах, созданных на поверхности Si (110). В обоих случаях обнаружена очень слабая чувствительность осцилляций Шубникова–де Гааза к компоненте магнитного поля, параллельной квазидвумерной системе. Этот результат указывает на то, что обе нижние подзоны размерного квантования образованы тяжелыми дырками. Для второй подзоны этот вывод расходится с широко принятой точкой зрения о том, что эта подзона в исследованной системе является основной подзоной легких дырок.