Особенности магнетосопротивления монослойного графена при рассеянии на короткодействующем потенциале

Проведены измерения магнетосопротивления монослойного графена, расположенного на подложке Si/SiO$_2$, при температурах $2.5$–$150$ К. Обнаружено, что в области достаточно высоких температур вдали от точки Дирака сопротивление зависит от магнитного поля как квадратный корень, что согласуется с недавним теоретическим расчетом магнетосопротивления в случае рассеяния носителей на дефектах с короткодействующим потенциалом.