Особенности атомных процессов при формировании смачивающего слоя и зарождении трехмерных островков Ge на ориентациях (111) и (100) Si

С помощью метода СТМ исследовались промежуточные стадии формирования смачивающего слоя Ge на поверхностях (111) и (001) Si в квазиравновесных условиях роста. Продемонстрированы процессы перераспределения атомов Ge и релаксации напряжений несоответствия посредством формирования поверхностных структур пониженной плотности и граней, отличных от ориентации подложки. Проведен анализ мест зарождения новых трехмерных островков Ge после образования смачивающего слоя. Показаны как принципиальные отличия, так и общие тенденции протекания атомных процессов при формировании смачивающих слоев на поверхностях (111) и (100) Si. Плотность трехмерных зародышей на Si(111) определяется изменившимися условиями поверхностной диффузии адатомов Ge после смены поверхностной структуры. На грани Si(100) переход к трехмерному росту определяется зарождением одиночных граней $\lbrace105\rbrace$ на шероховатой поверхности Ge(100).