Влияние некогерентного рассеяния поляритонов на динамику стимулированного поляритон-поляритонного рассеяния в GaAs микрорезонаторах

Обнаружено сильное влияние межзонной подсветки на динамику поляритон-поляритонного параметрического рассеяния в плоских GaAs микрорезонаторах при резонансном фотовозбуждении выше точки перегиба поляритонной дисперсионной кривой: подсветка с плотностью мощности $\sim0,1$% от резонансной приводит к понижению пороговой плотности для возникновения стимулированного рассеяния, превышающему 15%. Показано, что эффект связан с изменением резонансной энергии накачиваемой моды в результате увеличения концентрации долгоживущих экситоноподобных поляритонов, образующихся в результате рассеяния резонансно возбуждаемых поляритонов на фотовозбужденных свободных носителях.