Аннотация:
Представлены результаты первопринципных FLA W-GGA расчетов зонной структуры недавно синтезированного слоистого тетрагонального (пр. группа $I4/mmm$) арсенида (Sr$_3$Sc$_2$O$_5$)Fe$_2$As$_2$ как возможной базисной фазы для новой группы FeAs-сверхпроводников. Для $\mathrm{(Sr_3Sc_2O_5)Fe_2As_2}$ определены энергетические зоны, распределения плотностей электронных состояний, топология поверхности Ферми, коэффициенты низкотемпературной электронной теплоемкости и молярной парамагнитной восприимчивости Паули, эффективные атомные заряды. Эти результаты обсуждаются в сопоставлении с аналогичными данными для слоистых тетрагональных кристаллов LaFeAsO, SrFeAsF, SrFe$_2$As$_2$ и LiFeAs – базисных фаз семейства недавно открытых высокотемпературных ($T_C\sim26{-}56\,$К) $\langle\langle1111\rangle\rangle$, $\langle\langle122\rangle\rangle$ и $\langle\langle111\rangle\rangle$ FeAs-сверхпроводников.