Аннотация:
Изучены спектры оптического поглощения поляризованного инфракрасного
излучения в структурах с квантовыми ямами SiGe $p$-типа. Исследовались три типа
структур, различающихся величиной и знаком двуосных упругих деформаций.
Обнаружено, что при растяжении квантовой ямы в плоскости гетероперехода
происходит двукратное увеличение коэффициента поглощения света в области
межподзонных переходов. Полученные результаты объяснены сменой очередности расположения зон
тяжелых и легких дырок, вызванной деформацией растяжения, и формированием
основного состояния носителей заряда в зоне легких дырок.