Магнитоэлектрический эффект в пленках гранатов с наведенной магнитной анизотропией в неоднородном электрическом поле

Предложен не связанный с наличием электрически заряженных доменных границ механизм возникновения сильного магнитоэлектрического эффекта в эпитаксиальных пленках магнитных гранатов, зависящий от кристаллографической ориентации последних и обусловленный влиянием неоднородного электрического поля на наведенную магнитную анизотропию.