Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек

Методом криогенной микрофотолюминесценции исследована тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек, выращенных по механизму Странского–Крастанова с малым временем прерывания роста. Продемонстрировано монотонное увеличение расщепления экситонных состояний с увеличением размера квантовых точек до значений ${\sim}\,10^{2}$ мкэВ. Показано, что в интервале энергий экситонов $1.3$–$1.4$ эВ величина расщепления экситонных состояний сравнима с естественной шириной экситонных линий. Это представляет большой интерес для разработки излучателей пар запутанных фотонов на основе InAs квантовых точек.