Численное моделирование графена в магнитном поле в рамках эффективной теории поля

Представлены результаты моделирования графена, полученные методом Монте-Карло, во внешнем магнитном поле, перпендикулярном плоскости графена. Расчеты выполнены в рамках эффективной квантовой теории поля с некомпактным $3+ 1$-мерным абелевым калибровочным полем и $2 + 1$-мерными фермионами Когута–Сасскинда. Обнаружено, что внешнее магнитное поле смещает точку фазового перехода полуметалл–изолятор в сторону бо́льших значений диэлектрической проницаемости подложки. Построена фазовая диаграмма перехода полуметалл–изолятор в плоскости диэлектрическая проницаемость подложки–магнитное поле.