Спиновая релаксация в квантовых ямах GaAs/AlGaAs вблизи нечетных факторов заполнения

Исследован электронный парамагнитный резонанс в GaAs/AlGaAs квантовых ямах вблизи нечетных факторов заполнения $\nu=3,5,7$. По ширине линии резонансного микроволнового поглощения определено время спиновой релаксации двумерных электронов. Изучены зависимости времени спиновой релаксации от фактора заполнения, температуры и ориентации магнитного поля. При удалении от нечетных факторов заполнения время спиновой релаксации заметно падает, а его максимальное значение зависит от угла наклона магнитного поля к плоскости двумерного электронного газа.