Зондирование локальных электронных состояний в узкощелевых полупроводниках Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) с помощью лазерного терагерцового излучения

Локальные электронные состояния в легированных индием твердых растворах на основе теллурида свинца характеризуются рядом особенностей, выделяющих их из многообразия примесных состояний в полупроводниках. В наиболее явном виде эти особенности проявляются в терагерцовой фотопроводимости. В настоящем обзоре рассматриваются результаты соответствующих экспериментальных исследований, проводимых в рамках проектов РФФИ в течение последних лет.