Орбитальное квантование в системе краевых дираковских фермионов в наноперфорированном графене

Исследованы зависимости электросопротивления $R$ наноперфорированных образцов графена от положения уровня Ферми $E_{\text{F}}$ , которое изменялось с помощью напряжения на затворе $V_g$. Наноперфорация проводилась с помощью облучения образцов графена на подложке $\mathrm{Si}/\mathrm{SiO}_2$ либо тяжелыми (ксенон), либо легкими (гелий) ионами. При низких температурах в отсутствие магнитного поля на зависимости $R(V_g)$ обнаружена серия регулярных пиков. Пики связываются с прохождением $E_F$ через эквидистантную лестницу уровней, образованных орбитально-квантованными состояниями краевых дираковских фермионов (ДФ), вращающихся вокруг каждого наноотверстия. Результаты согласуются с теорией краевых состояний для безмассовых ДФ.