Фотоэмиссия из $p$-GaAs(001) с неравновесными слоями цезия

Экспериментально изучены зависимости тока фотоэмиссии и эффективного электронного сродства от величины субмонослойного цезиевого покрытия при адсорбции Cs на поверхности GaAs(001), а также кинетика фототока и сродства после выключения Cs источника, обусловленная релаксацией структуры неравновесного адсорбционного слоя. Обнаруженные особенности в зависимости фототока от Cs-покрытия связаны с немонотонным поведением поверхностного изгиба зон в системе Cs/GaAs(001). Установлено, что релаксационное уменьшение фототока при покрытиях менее половины монослоя обусловлено релаксацией изгиба зон, а рост фототока при больших покрытиях вызван релаксацией электронного сродства.