Спектроскопия анизотропного отражения света от металлических нанокластеров, сформированных на поверхности полупроводника

С помощью дифференциальной спектроскопии анизотропного отражения света обнаружена анизотропия нанокластеров индия, сформированных на поверхности (001) арсенида индия. Факт наблюдения спектра анизотропного отражения от массива нанокластеров однозначно свидетельствует о наличии его макроскопической анизотропии, которая не выявляется обычными методами диагностики. Масштаб наблюдаемого плазмонного сигнала анизотропии на два порядка величины превышает масштаб сигналов, получаемых от анизотропных ковалентных структур, образующихся на поверхности полупроводника. Особенность, обнаруженная в спектре анизотропного отражения, интерпретируется в модели взаимодействующих дипольных плазмонов, принадлежащих эллипсоидальным наночастицам. Оценка на основе наблюдаемых спектров показывает, что в плоскости поверхности образца длины полуосей эллипсоидов различаются на проценты.