Микроволновый отклик баллистической квантовой точки

Экспериментально исследован микроволновый отклик (фотоЭДС и фотокондактанс) латеральной баллистической квантовой точки, созданной на основе высокоподвижного двумерного электронного газа в гетеропереходе AlGaAs/GaAs, в диапазоне частот $110$–$170$ ГГц. Найдено, что асимметрия фотоЭДС по знаку магнитного поля носит мезоскопический характер в зависимости не только от магнитного поля, но и от мощности излучения. Это свидетельствует о нарушении соотношения Онсагера, связанного с эффектами межэлектронного взаимодействия, в мезоскопическом фотогальваническом эффекте. Обнаружен сильный рост кондактанса точки под действием микроволнового излучения, имеющий не разогревную природу, а также индуцированные этим излучением магнитоосцилляции.