RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2013, том 98, выпуск 12, страницы 926–932 (Mi jetpl3616)

Эта публикация цитируется в 13 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Люминесценция квазидвумерной электронно-дырочной жидкости и экситонных молекул в гетероструктурах Si/SiGe/Si при двухэлектронных переходах

Т. М. Бурбаев, Д. С. Козырев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Исследована низкотемпературная фотолюминесценция (ФЛ) гетероструктур Si/Si$_{0.91}$Ge$_{0.09}$/Si в ближней инфракрасной (БИК) и видимой областях спектра. Для структуры с туннельно прозрачным для электронов слоем SiGe путем сравнения формы широкой линии люминесценции в видимой области с численной сверткой спектра излучения электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) в БИК-области показано, что при высоких уровнях возбуждения излучение в видимой области вызвано двухэлектронными переходами в квазидвумерной пространственно прямой ЭДЖ. Из совместного анализа спектров ФЛ в БИК и видимой областях определена энергия связи квазидвумерного свободного биэкситона в слое SiGe этих гетероструктур. В структурах с широким туннельно непрозрачным для электронов SiGe-слоем обнаружена пространственно непрямая (диполярная) ЭДЖ.

Поступила в редакцию: 08.11.2013

DOI: 10.7868/S0370274X13240132


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2013, 98:12, 823–828

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024