Аннотация:
Исследована
низкотемпературная фотолюминесценция (ФЛ)
гетероструктур Si/Si$_{0.91}$Ge$_{0.09}$/Si в ближней
инфракрасной (БИК) и видимой областях спектра. Для структуры с
туннельно прозрачным для электронов слоем SiGe путем сравнения формы
широкой линии люминесценции в видимой области с численной сверткой
спектра излучения электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) в
БИК-области показано, что при высоких уровнях возбуждения излучение в
видимой области вызвано двухэлектронными переходами в
квазидвумерной пространственно прямой ЭДЖ. Из совместного анализа
спектров ФЛ в БИК и видимой областях определена энергия связи
квазидвумерного свободного биэкситона в слое SiGe этих
гетероструктур. В структурах с широким туннельно непрозрачным для
электронов SiGe-слоем обнаружена пространственно непрямая
(диполярная) ЭДЖ.