Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs(001)

Поверхности GaAs(001), покрытые собственными оксидами, экспонировались в потоке атомарного водорода в температурном интервале 280–450 $^\circ$C с целью низкотемпературного приготовления структурно упорядоченных поверхностей GaAs(001). Приготовлены новые Ga-обогащенные поверхности GaAs(001) с реконструкциями (4$\times$4) и (2$\times$4)/c(2$\times$8), которые были изучены методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, дифракции медленных электронов и спектроскопии характеристических потерь энергий электронов высокого разрешения. Для поверхности GaAs(001)–(2$\times$4) предложена и рассчитана из первых принципов структура Ga-стабилизированной поверхности в модели элементарной ячейки (2$\times$4) Ga-тример.