Влияние допирования на сверхпроводящие свойства Sm$_{1-x}$Th$_x$OFeAs: наблюдение эффекта внутренних многократных андреевских отражений и определение параметров сверхпроводящего состояния

Проведены исследования контактов на микротрещине (техника break-junction) типа SNS и S–N–S–N–$\dots$–S (где S – сверхпроводник, N – нормальный металл), созданных в поликристаллах сверхпроводника Sm$_{1-x}$Th$_x$OFeAs с критическими температурами $T_c=(34{-}45)\,$K. В таких контактах наблюдались эффекты (внутренних) многократных андреевских отражений. С помощью спектроскопий, основанных на этих эффектах, было установлено наличие двух независимых параметров порядка и определены их величины. Теоретический анализ температурных зависимостей большой и малой щелей показал, что сверхпроводящие свойства Sm$_{1-x}$Th$_x$OFeAs определяются в основном внутризонным взаимодействием, причем $\sqrt{V_{11}V_{22}}/V_{12}\approx14$ (где $V_{ij}$ – матричные элементы электрон-бозонного взаимодействия), а отношение $N_2/N_1$ плотностей состояний в зонах с малой и большой щелями, соответственно, составляет примерно порядок. Оценены “собственные” значения характеристических отношений БКШ в гипотетическом случае отсутствия межзонного взаимодействия ($V_{i\neq j}=0$) для каждого из конденсатов, $2\Delta_{L,S}/k_{\text{B}}T_c^{\text{L,S}}\leq4.5$. Эти величины остаются постоянными в исследованном интервале критических температур и соответствуют случаю сильного внутризонного электрон-фононного взаимодействия.