Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабых магнитных полях

Численно исследован двумерный квантовый транспорт через полоску гексагональной решетки антиточек, перекрывающую многомодовый канал в структуре GaAs/AlGaAs. Обнаружено, что малые перпендикулярные магнитные поля ($\sim 3$ мT) подавляют объемные токи, вызывают появление краевых состояний Ландау и большое положительное магнитосопротивление по обе стороны от дираковской точки. В некоторых интервалах по энергии присутствуют таммовские краевые состояния, что добавляет к ступеням квантования кондактанса $G_n=(2|n|+1)2e^2/h$ осцилляции амплитуды $\approx 4e^2/h$, вызванные квантованием этих состояний на длине решетки.