Экситон-плазмонное взаимодействие в гибридных структурах квантовые точки–металлические кластеры, полученных методом МЛЭ

Исследованы гибридные структуры, состоящие из InAs/AlGaAs квантовых точек и кластеров индия на поверхности, разделенных слоем диэлектрика AlGaAs заданной толщины. Обнаружено усиление сигнала фотолюминесценции в длинноволновой области, проявляющееся в виде узкого пика, который отсутствует в контрольной структуре с ансамблем квантовых точек без кластеров металла и пропадает при увеличении толщины диэлектрика между слоями. Полученные результаты объясняются в рамках модели резонансного взаимодействия экситонов в квантовых точках с локализованными поверхностными плазмонами в кластерах металла.