Аннотация:
Изучен терагерцовый отклик двумерного топологического
изолятора в HgTe квантовой яме при воздействии излучения с длиной
волны $118$ и $184$ мкм. Обнаружено, что его
фотопроводимость (ФП) составляет значительную величину (до
нескольких процентов от темновой проводимости) и существует как в
локальном, так и в нелокальном отклике системы. Этот факт
доказывает, что обнаруженная ФП обусловлена изменением транспорта
по краевым токовым состояниям. Знак и нерезонансный характер ФП
показывают, что она связана с электронным разогревом системы.
Проведенный анализ позволяет предположить, что источником такого
разогрева является друдевское поглощение терагерцового излучения
возникающими из-за флуктуаций примесного потенциала и щели
металлическими “каплями”, расположенными в непосредственной
близости от краевых состояний.