RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2014, том 99, выпуск 6, страницы 378–381 (Mi jetpl3690)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Сдвиг порога фотоэмиссии в полупроводниках A$_{3}$B$_{5}$ и A$_{2}$B$_{6}$

А. А. Карпушин, А. Н. Сорокин

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: В работе исследованы причины, по которым пороговая энергия фотоэмиссии полупроводников меньше энергии ионизации атомов, составляющих полупроводник. Отмечено, что предложенная ранее интерпретация этого феномена, основанная на учете дополнительного внутриатомного кулоновского взаимодействия валентных электронов, недостаточна для его объяснения. Показано, что при расчете энергетической электронной структуры полупроводников, в частности порога фотоэмиссии, необходимо учитывать изменение области локализации валентных электронов при встраивании изолированного атома в кристалл. Продемонстрирован способ учета этого изменения в рамках метода сильной связи. Найдены поправки к гамильтониану сильной связи. Рассчитаны величины порогов фотоэмиссии полупроводников A$_{3}$B$_{5}$ и A$_{2}$B$_{6}$ с учетом этих поправок. Проведено сравнение полученных результатов с экспериментальными данными.

Поступила в редакцию: 25.12.2013

DOI: 10.7868/S0370274X14060058


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, 99:6, 329–332

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024