Оптические свойства эпитаксиальной пленки силицида железа Fe$_3$Si/Si(111)

Методом спектральной эллипсометрии измерена дисперсия диэлектрической проницаемости $\varepsilon$ эпитаксиальной пленки силицида железа Fe$_3$Si толщиной $27$ нм в области энергий $E=(1.16--4.96)\,$эВ. Результаты сравниваются с дисперсией диэлектрической проницаемости, вычисленной в рамках метода функционала плотности с аппроксимацией GGA-PBE. Рассчитаны электронная структура Fe$_3$Si и плотность электронных состояний (DOS). Анализ частот теоретически рассчитанных оптических переходов между пиками DOS дает качественное согласие с экспериментально измеренными пиками поглощения. Анализ данных одноволновой лазерной эллипсометрии, полученных в процессе синтеза пленки, показывает, что формирование сплошного слоя пленки силицида железа Fe$_3$Si происходит при достижении ее толщиной в $5$ нм.