Особенности диэлектрической функции InN в области прямого оптического перехода

Рассмотрена дисперсия диэлектрической проницаемости InN со структурой вюрцита в области частот вблизи фундаментальной энергетической щели с учетом влияния температуры и концентрации носителей. Линейность электронного спектра в широкой энергетической области приводит к логарифмической сингулярности у вещественной части диэлектрической функции, связанной с прямыми электронными переходами, и соответственно, к аномально большой величине диэлектрической постоянной. Мнимая часть выходит на плато выше порога поглощения. Рассчитанные без всяких подгоночных параметров значения хорошо согласуются с экспериментом и вычислениями из первых принципов.