Влияние ближнего поля на спектр поглощения примесей в кристаллах

В работе рассмотрено влияние ближнепольного взаимодействия мелких доноров в GaAs на спектр внутрицентрового примесного поглощения. Показано, что ближнепольное взаимодействие приводит к уширению линии поглощения, которое увеличивается с ростом концентрации доноров. Форма линии поглощения перестает быть лоренцевой: ее коротковолновое крыло становится более протяженным по сравнению с длинноволновым крылом.