Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si

Изучены спектры фототока дырок в $\delta$-легированных слоях Si с квантовыми точками Ge в слабых внешних электрических полях. Установлено, что с увеличением концентрации примеси в $\delta$-слоях фототок дырок в фотовольтаическом режиме меняет свой знак. Обнаружено, что существует диапазон напряжений в окрестности нулевого смещения, в котором направление фототока определяется длиной волны возбуждающего его излучения.