Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией

Предложена модель процесса эмиссии фотовозбужденных электронов и дырок из массива квантовых точек InAs в матрицу GaAs. Для эффективности эмиссии получено аналитическое выражение, учитывающее термическую эмиссию носителей в матрицу GaAs и в 2D-состояния смачивающего слоя InAs, туннельную и термоактивированную туннельную эмиссию, а также электронный обмен между уровнями размерного квантования в зоне проводимости InAs. Экспериментально исследованы температурные зависимости фоточувствительности в области основного и первого возбужденного оптических переходов в квантовых точках InAs/GaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии. Определен ряд параметров квантовых точек, при которых наблюдается хорошее согласие экспериментальных данных и результатов теоретического расчета.