Е. Б. Ольшанецкий, З. Д. Квон, М. В. Энтин, Л. И. Магарилл, Н. Н. Михайлов, И. О. Парм, С. А. Дворецкий, “Процессы рассеяния в двумерном полуметалле”, Письма в ЖЭТФ, 2009, том 89, выпуск 6,страницы 338

Эта публикация цитируется в 44 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Процессы рассеяния в двумерном полуметалле

Е. Б. Ольшанецкий^a, З. Д. Квон^ba, М. В. Энтин^a, Л. И. Магарилл^ab, Н. Н. Михайлов^a, И. О. Парм^a, С. А. Дворецкий^a

^a Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН
^b Новосибирский государственный университет

Аннотация: Исследованы механизмы рассеяния в двумерном полуметалле на основе HgTe квантовой ямы, в котором концентрация электронов и дырок управляется в широких пределах приложением затворного напряжения. Показано, что при низких температурах в указанной системе доминирует рассеяние на примесях. Наблюдалось прямое влияние взаимного межчастичного рассеяния (в данном случае электронов и дырок) на сопротивление металла.

PACS: 73.43.Qt, 73.63.Hs

Поступила в редакцию: 12.02.2009