Анизотропия проводимости и степенной вид вольт-амперных характеристик вдоль и поперек слоев квазиодномерного слоистого полупроводника TiS$_3$

В слоистых вискерах квазиодномерного полупроводника TiS$_3$ обнаружена нелинейная проводимость вдоль кристаллографической оси $c$ в направлении поперек слоев. Показано, что во всех трех направлениях, вдоль осей $a$, $b$ и $c$, вольт-амперные характеристики описываются степенным законом с показателем степени, увеличивающимся с понижением температуры. Рассматриваются возможные механизмы нелинейной проводимости: движение конденсированных электронов, возбуждение и разрыв электронно-дырочных пар в 2D-слоях, межслоевое туннелирование в условиях кулоновской блокады с растеканием заряда в слоях.