В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, В. С. Багаев, В. С. Лебедев, Е. Е. Онищенко, “Сверхизлучение вырожденного экситонного газа в полупроводниках с непрямым краем собственного поглощения”, Письма в ЖЭТФ, 2014, том 100, выпуск 5,страницы 343

Эта публикация цитируется в 3 статьях

ПОЛЯ, ЧАСТИЦЫ, ЯДРА

Сверхизлучение вырожденного экситонного газа в полупроводниках с непрямым краем собственного поглощения

В. С. Кривобок^a, С. Н. Николаев^a, В. С. Багаев^a, В. С. Лебедев^ab, Е. Е. Онищенко^a

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
^b Московский физико-технический институт

Аннотация: Предсказана возможность формирования состояний, обладающих сверхизлучающими свойствами, в вырожденном экситонном газе полупроводников с непрямым краем собственного поглощения. Соответствующее сверхизлучение вызвано процессами четырехчастичной рекомбинации. Оно возникает при энергиях кванта, примерно вдвое превышающих ширину запрещенной зоны. Представлены экспериментальные данные, подтверждающие возможность регистрации сверхизлучения для SiGe/Si квантовых ям.

Поступила в редакцию: 23.07.2014

DOI: 10.7868/S0370274X14170044