Ионизация экситона, движущегося перпендикулярно магнитному полю в сверхрешетке GaAs/Al${_x}$Ga$_{1-x}$As

Методом резонансной рамановской спектроскопии изучено влияние магнитного поля на спектр экситонов, связанных с различными минизонами в сверхрешетках. Обнаружено, что интенсивность рамановского рассеяния на акустических фононах с участием основного состояния экситона, связанного со второй минизоной, резко ослабевает уже в слабых магнитных полях, если вектор его скорости ортогонален внешнему магнитному полю. Это явление объяснено ионизацией экситона в электрическом поле, возникающем в системе координат, связанной с экситоном, движущимся перпендикулярно внешнему магнитному полю.