Н. Н. Зиновьев, А. В. Андрианов, В. Ю. Некрасов, В. А. Петровский, Л. В. Беляков, О. М. Сресели, Г. Хилл, Д. М. Чемберлен, “Терагерцовая инжекционная электролюминесценция в многопериодных квантово-каскадных структурах AlGaAs/GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 2001, том 74, выпуск 2,страницы 105

Эта публикация цитируется в 5 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Терагерцовая инжекционная электролюминесценция в многопериодных квантово-каскадных структурах AlGaAs/GaAs

Н. Н. Зиновьев^ab, А. В. Андрианов^b, В. Ю. Некрасов^b, В. А. Петровский^b, Л. В. Беляков^b, О. М. Сресели^b, Г. Хилл^c, Д. М. Чемберлен^a

^a IMP, School of Electronic and Electrical Engineering, University of Leeds
^b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
^c Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield

Аннотация: Сообщается об обнаружении терагерцовой электролюминесценции в области $\approx1.5\,$ТГц в квантово-каскадной структуре GaAs/AlGaAs, содержащей 40 периодов туннельно-связанных квантовых ям. Люминесценция обусловлена пространственно непрямыми оптическими переходами электронов между основными состояниями в соседних квантовых ямах.

PACS: 07.57.Hm, 78.60.Fi, 78.67.De

Поступила в редакцию: 14.06.2001