Аннотация:
Обнаружена анизотропия продольного магнетосопротивления двумерного электронного газа с высокими подвижностью и концентрацией в GaAs квантовых ямах, выращенных при помощи молекулярно-лучевой эпитаксии на (100) GaAs подложках. Полученные экспериментальные данные объясняются самоорганизацией пространственно-модулированных гетерограниц и согласуются с результатами атомно-силовой микроскопии ростовых поверхностей.