Долгие времена спиновой памяти электронов в арсениде галлия

Сообщается о наблюдении рекордно долгих времен спиновой памяти электронов в GaAs. С помощью метода оптической ориентации установлено, что время спиновой релаксации электронов, локализованных на мелких донорах в арсениде галлия $n$-типа $(N_d-N_A\approx10^{14}\,$см$^{-3}$), составляет $290\pm30\,$нс при температуре $4.2$ К. Обменное взаимодействие квазисвободных электронов с электронами на донорах подавляет основной канал потери спина локализованных на донорах электронов – спиновую релаксацию за счет их сверхтонкого взаимодействия с ядрами решетки.