RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2001, том 74, выпуск 5, страницы 296–299 (Mi jetpl4203)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Эффект самоорганизации ансамбля нанокластеров Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si

А. В. Двуреченский, В. А. Зиновьев, Ж. В. Смагина

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии экспериментально исследовано распределение по размерам островков Ge, формирующихся в экспериментах двух видов при гетероэпитаксии Ge на Si(111): 1) обычный процесс молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ); 2) импульсное ($0.5$ с) облучение ионами Ge c энергией $\simeq200$ эВ в моменты времени, соответствующие степени заполнения $>0.5$ каждого монослоя. Эксперименты выполнялись при температуре $350^\circ$ С. Обнаружено, что импульсное облучение пучком ионов в процессе гетероэпитаксии приводит к уменьшению среднего размера островков Ge, увеличению их плотности и уменьшению среднеквадратичного отклонения от среднего значения по сравнению с аналогичными величинами в опытах по обычной МЛЭ.

PACS: 61.14.Hg, 61.80.-x, 68.55.-a

Поступила в редакцию: 30.07.2001


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2001, 74:5, 267–269

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024