Аннотация:
Предложен и исследован новый механизм охлаждения гетероструктур электрическим током. На примере структуры с двумя квантовыми ямами исследованы условия протекания электрического тока, когда электроны и дырки из одной квантовой ямы в другую переходят за счет непрямого туннелирования с участием фононов. Показано, что в такой системе возможно создание инверсной заселенности для электронов и дырок и охлаждение активной области лазера инжекционным током. Получен универсальный закон, согласно которому температура охлаждения квантовой системы выражается только через разность энергий размерного квантования носителей.