Г. Н. Гольцман, К. В. Смирнов, “Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах”, Письма в ЖЭТФ, 2001, том 74, выпуск 9,страницы 532

Эта публикация цитируется в 4 статьях

ПО ИТОГАМ ПРОЕКТОВ РОССИЙСКОГО ФОНДА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах

Г. Н. Гольцман, К. В. Смирнов

Московский педагогический государственный университет

Аннотация: Рассмотрены теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах в случае сильного разогрева в электрическом поле, в квазиравновесных условиях и в квантующем магнитном поле, перпендикулярном 2D слою.

PACS: 73.50.-h

Поступила в редакцию: 05.10.2001