С. В. Зайцев-Зотов, В. Я. Покровский, П. Монсо, “Переход к одномерной проводимости при уменьшении толщины кристаллов квазиодномерных проводников TaS$_3$ и NbSe$_3$”, Письма в ЖЭТФ, 2001, том 73, выпуск 1,страницы 29

Эта публикация цитируется в 25 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Переход к одномерной проводимости при уменьшении толщины кристаллов квазиодномерных проводников TaS$_3$ и NbSe$_3$

С. В. Зайцев-Зотов^a, В. Я. Покровский^a, П. Монсо^b

^a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва К-9
^b Centre de Recherches sur les Très Basses Températures

Аннотация: Обнаружено, что при уменьшении толщины кристаллов квазиодномерных проводников TaS$_3$ и NbSe$_3$ зависимости их проводимости от температуры и электрического поля, характерные для объемных образцов, превращаются в зависимости, близкие к степенным, которые характерны для одномерных электронных систем.

PACS: 71.10.-w, 71.30.+h, 71.45.Lr, 72.15.Nj, 73.50.Fq

Поступила в редакцию: 20.10.2000
Исправленный вариант: 23.11.2000