Аннотация:
Исследовано рамановское рассеяние света на оптических фононах в ненапряженных квантовых точках Ge, полученных в GaAs/ZnSe/Ge/ZnSe структурах с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Наблюдался сдвиг энергии $E_1$, $E_1+\Delta _1$ резонанса, связанный с квантованием спектра электронных и дырочных состояний в квантовых точках. Применение простейшей модели локализации с учетом спектра электронных состояний Ge позволило объяснить наблюдаемые особенности.