С. Г. Гасан-заде, С. В. Старый, М. В. Стриха, Г. А. Шепельский, В. А. Бойко, “Упруго-напряженное состояние в узкощелевых полупроводниках: принципиальная возможность повышения квантового выхода инфракрасного излучения”, Письма в ЖЭТФ, 2001, том 73, выпуск 9,страницы 561

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Упруго-напряженное состояние в узкощелевых полупроводниках: принципиальная возможность повышения квантового выхода инфракрасного излучения

С. Г. Гасан-заде, С. В. Старый, М. В. Стриха, Г. А. Шепельский, В. А. Бойко

Институт физики полупроводников НАН Украины, г. Киев

Аннотация: В узкощелевых полупроводниках с прямой запрещенной зоной создание упруго-наряженного состояния позволяет существенно ослабить междузонную ударную рекомбинацию за счет трансформации валентной зоны. В результате резко повышается квантовый выход инфракрасного излучения в области междузонных переходов. Экспериментальные результаты получены на кристаллах InSb.

PACS: 73.61.Ey, 78.66.-w

Поступила в редакцию: 15.12.2000
Исправленный вариант: 29.03.2001