Особенности плотности квазилокальных состояний вдоль резонансных кривых в сплошном спектре

Рассчитаны и проанализированы плотности квазилокализованных состояний в одномерной системе с точечным дефектом и в ГЦК кристалле с плоским дефектом. Плотность состояний имеет ярко выраженный пик, который находится вблизи энергии (частоты) резонансного прохождения частицы (волны) через дефект, хотя и слегка смещен относительно нее. При подходе к краю непрерывного спектра пик приближается к резонансной частоте и обостряется, стремясь к $\delta$-образному.