Влияние виртуальных переходов в высокочастотном поле на электронный транспорт в трехбарьерных структурах

Для трехбарьерных наноструктур рассчитана высокочастотная проводимость при резонансных диагональных переходах. Показано, что в ряде случаев пренебрежение переходами на боковые нерезонансные квазиуровни в высокочастотном электрическом поле приводит к завышению проводимости в максимуме на $60\%$, увеличению ширины линии более чем на $40\%$, а интегральной проводимости почти в 2.5 раза. При этом коэффициент прохождения, рассчитанный с учетом боковых сателлитов, составляет не 1, а примерно 0.6.