А. В. Шорохов, М. А. Пятаев, Н. Н. Хвастунов, Т. Хъярт, Ф. В. Кусмарцев, К. Н. Алексеев, “Физические принципы усиления электромагнитного излучения на отрицательных электронных массах на основе полупроводниковой сверхрешетки”, Письма в ЖЭТФ, 2014, том 100, выпуск 12,страницы 870

Эта публикация цитируется в 19 статьях

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Физические принципы усиления электромагнитного излучения на отрицательных электронных массах на основе полупроводниковой сверхрешетки

А. В. Шорохов^a, М. А. Пятаев^a, Н. Н. Хвастунов^b, Т. Хъярт^c, Ф. В. Кусмарцев^d, К. Н. Алексеев^d

^a Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева
^b Мордовский государственный педагогический институт им. М. Е. Евсевьева, г. Саранск
^c Department of Physics, University of Jyväskylä
^d Department of Physics, Loughborough University

Аннотация: В сверхрешетке, находящейся в скрещенных постоянных электрическом и магнитном полях, при определенных условиях может возникнуть инверсия электронной населенности, при которой средняя энергия электронов будет выше середины зоны, а электронная эффективная масса окажется отрицательной. Данный режим является реализацией режима усилителя и генератора электромагнитного излучения (NEMAG) в сверхрешетке. Он может приводить к усилению и генерации терагерцового излучения даже в отсутствие отрицательной дифференциальной проводимости.

Поступила в редакцию: 15.10.2014

DOI: 10.7868/S0370274X14240023