В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, С. А. Денисов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. А. Матвеев, С. М. Некоркин, В. Г. Шенгуров, “Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке”, Письма в ЖЭТФ, 2014, том 100, выпуск 12,страницы 900

Эта публикация цитируется в 4 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке

В. Я. Алешкин^ab, Н. В. Дикарева^c, А. А. Дубинов^ab, С. А. Денисов^ac, З. Ф. Красильник^ba, К. Е. Кудрявцев^ba, С. А. Матвеев^c, С. М. Некоркин^c, В. Г. Шенгуров^ac

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Научно-исследовательский физико-технический институт, г. Нижний Новгород

Аннотация: Методом “горячей проволоки” (HW-CVD) созданы совершенные искусственные подложки Ge/Si, на которых методом MOCVD выращены гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. Изучены спектры фотолюминесценции этих гетероструктур. Обнаружено стимулированное излучение в ближнем инфракрасном диапазоне при оптической накачке. Определены пороговые мощности возбуждения стимулированного излучения и изменение спектрального состава излучения в зависимости от мощности оптической накачки.

Поступила в редакцию: 05.11.2014

DOI: 10.7868/S0370274X14240084