Сечение поглощения для перехода $^4I_{15/2}\to^4I_{13/2}$ ионов Er$^{3+}$ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI

Проведены прямые измерения оптических потерь, обусловленных взаимодействием излучения с оптически активными ионами Er$^{3+}$ в эпитаксиальных волноводных структурах Si:Er/SOI. Сечение излучательного перехода $^{4}I_{13/2}\to {}^{4}I_{15/2}$ иона Er$^{3+}$ оценено на уровне $\sigma_{300\,\text{K}}\sim 8\cdot10^{-19}$ см$^{2}$ при $T=300\,$K и $\sigma_{10\,\text{K}}\sim 10^{-17}$ см$^2$ при $T=10\,$K.