Учет эффектов самосогласования электронной плотности в рамках метода LDA+U+SO, реализованного в формализме температурных функций Грина в базисе функций Ванье

Сформулирован и реализован в программных кодах метод LDA+U+SO (приближение локальной электронной плотности + учет кулоновских корреляций в статическом пределе среднего поля + учет спин-орбитального взаимодействия) в формализме температурных функций Грина в базисе функций Ванье. Предложена формула для приближенного учета влияния самосогласования электронной плотности на параметры гамильтониана. Показано, что результаты для NiO, GdNi$_2$, Pu и US, полученные предложенным методом, хорошо согласуются с результатами, получаемыми методами с полным самосогласованием электронной плотности.