Особенности поглощения микроволнового излучения двумерными электронными системами на гармониках циклотронного резонанса

На гармониках циклотронного резонанса обнаружены экстремумы поглощения микроволнового излучения двумерной электронной системой в гетероструктуре GaAs/AlGaAs с затвором. Экстремумы на второй и третьей гармониках существуют во всей исследованной области частот излучения ($38$–$145$ ГГц) и изменяются с минимумов поглощения на максимумы при понижении частоты и повышении температуры. Минимумы объясняются поглощением микроволнового излучения с возбуждением бернштейновских мод, имеющих щели в спектре вблизи гармоник циклотронного резонанса. Обсуждаются особенности этих мод в полевых транзисторах с двумерными электронными системами.