Электрические инжекция и детектирование спин-поляризованных электронов в латеральных спиновых клапанах на гетеропереходах ферромагнитный металл–полупроводник InSb

Создано латеральное спинтронное устройство на полупроводнике InSb с инжектором и детектором спин-поляризованных электронов (изготовленными из Fe), отделенными от полупроводникового канала туннельным барьером из MgO. Продемонстрированы электрические инжекция и детектирование спин-поляризованных электронов в одном устройстве. На основании измерений эффекта Ханле получены данные о параметрах спиновой подсистемы электронов проводимости полупроводника InSb и спиновой поляризации инжектированных электронов в полупроводнике на гетеропереходе Fe/MgO/InSb.