Аномальный эффект Холла в разбавленном магнитном полупроводнике In$_{1-x}$Mn$_{x}$Sb с кластерами MnSb

В работе исследовались поликристаллы InSb:Mn с разным содержанием Mn. В образцах зафиксировано наличие двух ферромагнитных фаз: нанокластеров MnSb с $T_c\approx600 $ К и магнитной матрицы InMnSb с $T_c$ ниже $10$ К. Полученные магнитополевые зависимости холловского сопротивления демонстрируют нелинейное поведение в широком диапазоне температур. При высоких температурах это объясняется наличием двух типов носителей заряда – легких и тяжелых дырок. При температурах ниже температуры Кюри матрицы InMnSb наблюдается аномальный эффект Холла, дающий вклад в нелинейное поведение холловского сопротивления. Ферромагнитные кластеры MnSb не вносят вклада в аномальный эффект Холла. Их наличие не приводит к спиновой поляризации носителей заряда из-за окружающего эти кластеры барьера Шоттки, который препятствует их взаимодействию с носителями заряда. Предложен способ выделения аномальной холловской компоненты при наличии в холловском сопротивлении нелинейного вклада иной природы.