Притяжение топологических дефектов в графене

Посредством компьютерного моделирования изучено взаимодействие топологических дефектов Стоуна–Уэльса в графене. Обнаружены такие конфигурации двух дефектов, энергия которых лежит ниже энергии монослоя с двумя удаленными друг от друга дефектами. Это свидетельствует о взаимном притяжении дефектов и указывает на возможность образования их скоплений. Причиной притяжения является интерференция создаваемых дефектами волнообразных искажений структуры монослоя. Амплитуда поперечных смещений атомов в окрестности пары дефектов при этом достигает $2$–$3$ Å. Такая сильная деформация графена дефектами Стоуна–Уэльса может служить одной из причин его “помятой” текстуры, наблюдаемой на эксперименте.